| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP027N08B-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| PMPB55XNEAX-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN6(2X2) |
25+ |
10000 |
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| IRF9640STRLPbF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| IRFD110PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DIP8 |
25+ |
48000 |
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| IRF3205PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| BUK6D43-40PX-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT1220 |
25+ |
10000 |
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| AO3419-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23 |
25+ |
48000 |
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| SIS443DN-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(3X3) |
25+ |
48000 |
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| STD30PF03LT4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-252 |
25+ |
48000 |
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| IRFB4227PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-220 |
25+ |
48000 |
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| NX138AKR-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
10000 |
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| BSS138K-13-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
10000 |
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| BSS138AKAR-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
10000 |
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| PMV30ENEAR-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
10000 |
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| PMV27UPEAR-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
10000 |
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| SI2369DS-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| DMN3404L-7-F-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| NVMFWS1D5N08XT1G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN8(5X6) |
25+ |
48000 |
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| IRFP240PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247 |
25+ |
48000 |
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| PMV45EN2R-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
10000 |
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